IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 550 A, SMPD, 贴片安装, 24引脚
- RS 库存编号 875-2500
- 制造商零件编号 MMIX1T550N055T2
- 制造商 IXYS
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 550 A |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 系列 | GigaMOS, HiperFET |
| 封装类型 | SMPD |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 24 |
| 最大漏源电阻值 | 1.3 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.8V |
| 最大功率耗散 | 830 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 宽度 | 23.25mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 595 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 25.25mm |
当前暂无库存，可于2024-11-22发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 个
RMB
340.38
(不含税)
RMB
384.63
(含税)
单位
Per unit
1 - 4
RMB340.38
5 - 9
RMB330.18
10 +
RMB320.28
包装方式：
