Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CSD19534KCS
- RS 库存编号 900-9964
- 制造商零件编号 CSD19534KCS
- 制造商 Texas Instruments
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Texas Instruments
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 100 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 系列 | NexFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 20 MΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 118 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 10.67mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 17.1 nC @ 0 V |
| 宽度 | 4.7mm |
5 海外库存，在6工作日内到达本地仓库并发货
40 海外库存，在5工作日内到达本地仓库并发货
单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
9.936
(不含税)
RMB
11.228
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 10
RMB9.936
RMB49.68
15 - 20
RMB9.638
RMB48.19
25 +
RMB9.352
RMB46.76
* 参考价格
包装方式：
