onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 200 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, 2N7000-D26Z
- RS 库存编号 903-4074
- 制造商零件编号 2N7000-D26Z
- 制造商 onsemi
产品技术参数资料
产品详细信息
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
该产品的行业包装为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | TO-92 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 9 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V |
| 最大功率耗散 | 400 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -40 V、+40 V |
| 长度 | 5.2mm |
| 宽度 | 4.19mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
300 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:100个)
RMB
1.137
(不含税)
RMB
1.285
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
100 - 400
RMB1.137
RMB113.70
500 - 900
RMB1.103
RMB110.30
1000 - 1900
RMB1.069
RMB106.90
2000 - 3900
RMB1.046
RMB104.60
4000 +
RMB1.024
RMB102.40
* 参考价格
包装方式：
