Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 33 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF540NPBF
- RS 库存编号 914-8154
- 制造商零件编号 IRF540NPBF
- 制造商 Infineon
产品详细信息
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 33 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 系列 | HEXFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 44 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 130 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 10.54mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 71 nC @ 10 V |
| 宽度 | 4.69mm |
| 晶体管材料 | Si |
40 现货库存，2024-04-28 发货。
3740 海外库存，在5工作日内到达本地仓库并发货
单价（不含税） /个 (每包:20个)
RMB
7.914
(不含税)
RMB
8.943
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
20 - 80
RMB7.914
RMB158.28
100 - 280
RMB7.775
RMB155.50
300 - 580
RMB7.581
RMB151.62
600 +
RMB7.391
RMB147.82
* 参考价格
