Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 110 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号 919-0938
- 制造商零件编号 SUM110P06-07L-E3
- 制造商 Vishay
产品技术参数资料
产品详细信息
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor
特点
• TrenchFET ® 功率 MOSFET
•具有低热阻的封装
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 110 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 7 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 3.75 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 宽度 | 9.65mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 230 nC @ 10 V |
| 长度 | 10.41mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
当前暂无库存，可于2025-12-12发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 个 (在毎卷：800)
RMB
13.269
(不含税)
RMB
14.994
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
800 +
RMB13.269
RMB10,615.20
* 参考价格
