Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 49 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFZ44NPBF
- RS 库存编号 919-4769
- 制造商零件编号 IRFZ44NPBF
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 49 A |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 系列 | HEXFET |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 17.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 94 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 63 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
当前暂无库存，可于2025-06-13发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 毎管：50 个
RMB
5.367
(不含税)
RMB
6.065
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
50 - 50
RMB5.367
RMB268.35
100 - 150
RMB5.233
RMB261.65
200 - 450
RMB5.102
RMB255.10
500 +
RMB4.975
RMB248.75
* 参考价格
