Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 23 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFP9140NPBF
- RS 库存编号 919-5028
- 制造商零件编号 IRFP9140NPBF
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V，Infineon
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 23 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 系列 | HEXFET |
| 封装类型 | TO-247AC |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 117 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 140 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 97 nC @ 10 V |
| 长度 | 15.9mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 5.3mm |
25 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） 毎管：25 个
RMB
12.654
(不含税)
RMB
14.299
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
25 - 25
RMB12.654
RMB316.35
50 - 75
RMB12.498
RMB312.45
100 - 225
RMB11.708
RMB292.70
250 +
RMB11.658
RMB291.45
* 参考价格
