IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 24 A, TO-247AD, 通孔安装, 3引脚, IXFH24N80P
- RS 库存编号 920-0754
- 制造商零件编号 IXFH24N80P
- 制造商 IXYS
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 24 A |
| 最大漏源电压 | 800 V |
| 系列 | HiperFET, Polar |
| 封装类型 | TO-247AD |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 400 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最大功率耗散 | 650 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 5.3mm |
| 长度 | 16.26mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 105 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
当前暂无库存，可于2024-05-15发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 毎管：30 个
RMB
61.731
(不含税)
RMB
69.756
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
30 - 30
RMB61.731
RMB1,851.93
60 - 90
RMB59.879
RMB1,796.37
120 +
RMB58.083
RMB1,742.49
* 参考价格
