Renesas Electronics NVRAM, 32MB, 2M x 16 位, 并行接口, 45ns, FBGA

Renesas M3xxx316 是磁阻性随机存取存储器 (MRAM)。它的密度从 4Mbit 到 32Mbit 不等。MRAM 技术类似于闪存技术，具有兼容 SRAM 的 35ns/35ns 和 45ns/45ns 读 / 写计时 (持久 SRAM ， P-SRAM)。数据始终是非易失性的。这使 MRAM 成为非常可靠且快速的非易失性存储器解决方案。MRAM 是真正的随机存取存储器 允许读取和写入在内存中随机发生。MRAM 非常适合必须存储和检索数据而不会造成大量延迟损失的应用程序。它提供低延迟，低功耗，几乎无限制的耐受性和数据保留，高性能和可扩展内存技术。

特别适用于必须存储和检索数据而不会产生较大延迟的应用。 接口采用并行异步 x16 技术，使用 40nm pMTJ STT-MRAM 工作电压范围为 2.70V 至 3.60V。 封装类型为 48 球 FBGA (10mm x 10mm) ，符合 RoHS 和 REACH 标准

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。