Infineon 低信号失真、表面安装射频 PIN 二极管设计用于低失真开关,最适用于高达 3 GHz 的频率。其额定 50 μm I 区域宽度与典型 1.55 μs 载体寿命相结合,可产生低正向电阻和低失真特性的二极管。
工业标准 SOD323 封装
无铅,符合 RoHS 标准
无卤素
属性 | 数值 |
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二极管配置 | 单路 |
每片芯片元件数目 | 1 |
应用 | 开关 |
最大正向电流 | 100mA |
最大反向电压 | 150V |
典型载体寿命 | 1.55µs |