Infineon IGBT栅极驱动器子板, 评估板, Enhanced isolated driver 1ED020I12-F2芯片

这款英飞凌 CoolSiC™ 评估平台第二版高边/低边配置两个栅极驱动器 IC (1ED020I12-F2)。该平台用于显示 TO247 3 针或 4 针封装 CoolSiC™ MOSFET 或其他电源开关（如：IGBT 和 MOSFET）的最佳驱动。为实现该目标，设计分为两个评估板，一个主板 EVAL-PS-DP-MAIN 和一个子板 EVAL-1ED020I12F2-DB。模块化方法，将来可使用附加栅极驱动器卡扩展平台。开关类型可自由选择。支持使用 1ED020I12-F2 的隔离栅极驱动器子板，以评估 1200 V CoolSiC™ MOSFET。EVAL-1ED020I12F2-DB 是 CoolSiC™ 评估平台第二版的组成部分，高边/低边配置两个栅极驱动器 IC (1ED020I12-F2)。

单通道隔离栅极驱动器 IC (1ED-F2)
轨至轨典型输出电流 2 A
精确 DESAT 保护，VCEsat 检测
有源米勒钳位
有源关断和短路钳位
最大绝对输出电源电压 28 V
典型传播时延 170/165 ns

该平台用于显示 TO247 3 针或 4 针封装 CoolSiC™ MOSFET 或其他电源开关（如：IGBT 和 MOSFET）的最佳驱动。为实现该目标，设计分为两个评估板，一个主板 EVAL-PS-DP-MAIN 和一个

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。