Renesas Electronics 半桥式驱动器评估测试板, 评估板

Renesas Electronics 板设计用于提供快速全面的方法，来评估在半桥配置中驱动两个 N 通道 MOSFET 的 HIP2211 100V 高频半桥驱动器。评估板上有两个 N 通道 MOSFET（通过双重空间支持多个封装，如 TO220 和 DPAK）和电感器-电容器 LC 滤波器，可评估半桥驱动负载，如同步降压开关稳压器。HIP2211 半桥驱动器提供 8 Ld SOIC、8 Ld DFN 或 10 Ld DFN 封装（带增强型热 EPAD）。此评估板设计用于 10 Ld DFN 封装。8 Ld DFN 封装也可安装在该板上。这两种板的工作电源电压均为 6V 至 18V 直流，可在 100V 半桥配置下驱动高侧和低侧 MOSFET。

3A 源极和 4A 汇极 NMOS 栅极驱动器
用于高侧 NFET 上栅极驱动器的内部电平转换器和自举二极管
高达 100V 的高侧自举二极管参考
6V 至 18V 偏置电源操作
快速 15ns 典型传播延迟和 2ns 典型传播延迟匹配，支持高达 1MHz 操作

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。