Infineon MOSFET栅极驱动器评估测试板, 栅极驱动模块, Gate Driver, Power MOSFET芯片

EiceDRIVER™ APD 2ED2410-EM - 24 V MOSFET 评估子板，共漏极，预充电

该子板属于评估板系列，可与 2ED2410-EM 24 V 评估主板 (EB 2ED2410 3M) 组合。这些子板用于处理现代汽车配电中常见的不同 MOSFET 和分流安排，适合于 12 V 和 24 V 板网。

该子板 EB 2ED2410 3D 1BCDP 采用背靠背共漏极配置，由两个 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET (1.1 mOhm) 组成，可处理一个负载通道。此外，可以使用专门的预充电路径对负载进行预充电。

可以提供的其他子板如下:

• EB 2ED2410 3D 1BCS：60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET（1.1 mOhm），背靠背 - 共源极，0.5 mOhm 分流
• EB 2ED2410 3D 1BCD：60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET（1.1 mOhm），背靠背 - 共漏极，0.5 mOhm 分流
• EB 2ED2410 3D 1BCSP：60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET（1.1 mOhm），背靠背 - 共源极，0.5 mOhm 分流，预充电

功能摘要

• 适用于 12 和 24 V 板网
• 与 2ED2410-EM 24 V 评估主板 (EB 2ED2410 3M) 组合
• 0.5 mΩ 分流电阻
• 60 V OptiMOSTM5 功率 MOSFET (1.1 Ohm)，适用于 12 和 24 V 板网
• MOSFET 温度监控，带 NTC 电阻器
• 专用预充电路径，用于高输入电容的负载
• 标称电流高达 20 A（连续）或 30 A（10 分钟）

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。