集成 NV SRAM 、实时时钟、晶体、电源故障控制电路和锂能源
时钟寄存器的访问与静态 RAM 相同。这些寄存器驻留在八个 TOP RAM 位置。
世纪字节寄存器(即,符合 Y2K )
完全非易失性、在无电源的情况下运行超过 10 年
BCD- 编码世纪、年份、月份、日期、日、小时、分钟和秒、自动 Leap-Year Compensation 有效期至 2100 年
蓄电池电压电平指示器标志
电源故障写入保护允许 ±10% 的 VCC 电源容差
锂能量源在电气上断开连接、以保持新鲜度、直到首次接通电源
仅限 DIP 模块
标准字节宽 32k x 8 静态 RAM 引出线
仅限 PowerCap 模块板
表面安装封装、用于直接连接到包含电池和晶体的 PowerCap
可更换电池( PowerCap )
通电重置输出
引脚对引脚兼容其他密度为 DS174xP 的保持时间 RAM
还提供工业温度范围: -40°C 至 +85°C
属性 | 数值 |
---|---|
功能 | NV SRAM,实时时钟 |
日期格式 | Y:M:D:D |
时间格式 | HH:MM:SS |
安装类型 | 通孔 |
封装类型 | EDIP |
引脚数目 | 28 |
尺寸 | 39.37 x 18.80 x 10.67mm |
长度 | 39.37mm |
宽度 | 18.8mm |
高度 | 10.67mm |
最大工作电源电压 | 5 V |