Infineon 射频 CMOS 开关专为 LTE 和 5G FR1 四天线应用而设计。本 4P4T 交叉开关具有低插入损耗和低谐波生成的特性。开关通过 MIPI RFFE 控制接口控制。片上控制器支持 1.65 至 1.95 V 电源电压。本开关具有电池直连功能和无直流射频端口。本设备尺寸极小,仅为 2.0 mm x 2.4 mm,厚度为 0.63 mm。
高线性,高达 37 dBm 峰值功率
快速切换时间,适用于 5G SRS 应用
低插入损耗和高达 7.125 GHz 的高端口到端口隔离
低功耗,支持使用 MIPI RFFE 电源
MIPI RFFE 2.1 控制接口
软件和硬件可编程 USIDU
超薄无铅塑料封装
封装符合 RoHS 和 WEEE 标准
属性 | 数值 |
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技术 | CMOS |
封装类型 | PG-WLGA-18-1 |
引脚数目 | 19 |
尺寸 | 2.0 x 2.4 x 0.63mm |
安装类型 | 贴片 |