Renesas Electronics CMOS 静态 RAM 6 是高速静态 RAM,以 64K x 16 排列。它采用高性能、高可靠性 CMOS 技术制造。这种最先进的技术与创新的电路设计技术相结合,为高速存储器需求提供经济实惠的解决方案。RAM 的所有双向输入和输出均与 TTL 兼容,操作由单个 5V 电源供电。使用完全静态异步电路,操作无需时钟或刷新。
一个芯片选择和一个输出启用引脚
双向数据输入和输出直接兼容 TTL
通过芯片取消选择,低功耗
高位和低位启用引脚
属性 | 数值 |
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存储器大小 | 1MB |
组织 | 128K x 8 |
字组数目 | 128k |
每字组的位元数目 | 8Bit |
最长随机存取时间 | 12ns |