Renesas Electronics HIP1020 将线性电压斜坡应用到 3.3V , 5V 和 12V MOSFET 的任何组合的 Gates。内部电荷泵将 12V 偏置翻倍或 5V 偏置增加三倍,以在使用更经济高效的 N 沟道 MOSFET 时提供所需的高侧驱动能力。5V/ms 斜坡速率由内部控制,是在设备托架指定的 dI/dt 限值内打开大多数设备的正确值。如果需要较慢的速率,可使用可选的外部电容器覆盖内部确定的斜坡速率。
上升时间控制为设备托架规格
无需其他组件
内部电荷泵驱动 N 沟道 MOSFET
驱动一个,两个或三个输出的任意组合
内部控制的开启斜坡
防止在热插入期间打开 False
使用 12V 或 5V 偏置操作
属性 | 数值 |
---|---|
监控器数目 | 3 |
最大复位阈值电压 | 2.4V |
封装类型 | SOT23 |
引脚数目 | 5 |