Renesas Electronics 电压监控芯片, 3监控器, 5针

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

Renesas Electronics HIP1020 将线性电压斜坡应用到 3.3V , 5V 和 12V MOSFET 的任何组合的 Gates。内部电荷泵将 12V 偏置翻倍或 5V 偏置增加三倍,以在使用更经济高效的 N 沟道 MOSFET 时提供所需的高侧驱动能力。5V/ms 斜坡速率由内部控制,是在设备托架指定的 dI/dt 限值内打开大多数设备的正确值。如果需要较慢的速率,可使用可选的外部电容器覆盖内部确定的斜坡速率。

上升时间控制为设备托架规格
无需其他组件
内部电荷泵驱动 N 沟道 MOSFET
驱动一个,两个或三个输出的任意组合
内部控制的开启斜坡
防止在热插入期间打开 False
使用 12V 或 5V 偏置操作

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

产品技术参数
属性 数值
监控器数目 3
最大复位阈值电压 2.4V
封装类型 SOT23
引脚数目 5
请致电4008218857,确认RS海外库存数量及货期。
单价(不含税) 个 (在毎卷:3000)
RMB 10.198
(不含税)
RMB 11.524
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
3000 - 12000
RMB10.198
RMB30,594.00
15000 +
RMB9.892
RMB29,676.00
* 参考价格