这些设备是单片抑制器、旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受 ESD 的影响。 它们夹紧的电压刚好高于逻辑电平电源、用于正向瞬变、并夹紧至二极管降至接地以下、以实现负瞬变。
4 个单向 Transil 函数
击穿电压 VBR = 6.1 V 最小值
低泄漏电流< 100 nA
低二极管电容( 3 V 时为 7.5 pF )
属性 | 数值 |
---|---|
二极管配置 | 单路 |
标称齐纳电压 | 3V |
每片芯片元件数目 | 4 |
安装类型 | 贴片 |
封装类型 | SOT-666 |
齐纳类型 | 单向 |
引脚数目 | 5 |
最大齐纳阻抗 | 1.5Ω |
最大反向漏电流 | 100nA |
尺寸 | 1.7 x 0.62 x 1.3mm |