Semelab

分立半导体

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分立半导体
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  • RMB2,647.20
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 30 A, DR, 螺钉安装, 5引脚, D1028UK
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流30 A
  • 最大漏源电压70 V
  • 系列TetraFET
  • 封装类型DR
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  • RMB2,214.563
    Each (In a Tray of 20)
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 30 A, DR, 螺钉安装, 5引脚, D1028UK
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流30 A
  • 最大漏源电压70 V
  • 系列TetraFET
  • 封装类型DR
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  • RMB149.46
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 170 mA, TO-18, 通孔安装, 3引脚, VN10K
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流170 mA
  • 最大漏源电压60 V
  • 封装类型TO-18
  • 安装类型通孔
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  • RMB123.738
    Each (In a Tray of 30)
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 170 mA, TO-18, 通孔安装, 3引脚, VN10K
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流170 mA
  • 最大漏源电压60 V
  • 封装类型TO-18
  • 安装类型通孔
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  • RMB77.182
    Each (In a Tray of 50)
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=65 V, 200 mA, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, D2081UK.F
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流200 mA
  • 最大漏源电压65 V
  • 封装类型SOT-223
  • 系列TetraFET
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  • RMB96.48
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=65 V, 200 mA, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, D2081UK.F
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流200 mA
  • 最大漏源电压65 V
  • 系列TetraFET
  • 封装类型SOT-223
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  • RMB1,980.142
    Each (In a Tray of 25)
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 10 A, DK, 螺钉安装, 5引脚, D1008UK
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流10 A
  • 最大漏源电压70 V
  • 封装类型DK
  • 系列TetraFET
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  • RMB1,980.83
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 10 A, DK, 螺钉安装, 5引脚, D1008UK
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流10 A
  • 最大漏源电压70 V
  • 封装类型DK
  • 系列TetraFET
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  • RMB743.57
Semelab PNP晶体管, LCC 1封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流-600 mA, 最大集电极-发射电压-60 V
  • 晶体管类型PNP
  • 最大直流集电极电流-600 mA
  • 最大集电极-发射极电压-60 V
  • 封装类型LCC 1
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 双极型晶体管
  • RMB647.007
    Each (In a Tray of 100)
Semelab PNP晶体管, LCC 1封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流-600 mA, 最大集电极-发射电压-60 V
  • 晶体管类型PNP
  • 最大直流集电极电流-600 mA
  • 最大集电极-发射极电压-60 V
  • 封装类型LCC 1
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 双极型晶体管
  • RMB305.999
    Each (In a Tray of 50)
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 2 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, D2219UK
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流2 A
  • 最大漏源电压40 V
  • 封装类型SOIC
  • 系列TetraFET
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  • RMB359.21
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 2 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, D2219UK
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流2 A
  • 最大漏源电压40 V
  • 封装类型SOIC
  • 系列TetraFET
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  • RMB414.76
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 5 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, D1011UK
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流5 A
  • 最大漏源电压70 V
  • 封装类型SOIC
  • 系列TetraFET
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  • RMB560.155
    Each (In a Tray of 25)
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 5 A, DA, 螺钉安装, 4引脚, D1001UK
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流5 A
  • 最大漏源电压70 V
  • 系列TetraFET
  • 封装类型DA
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  • RMB340.579
    Each (In a Tray of 50)
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 5 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, D1011UK
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流5 A
  • 最大漏源电压70 V
  • 封装类型SOIC
  • 系列TetraFET
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB667.71
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 5 A, DA, 螺钉安装, 4引脚, D1001UK
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流5 A
  • 最大漏源电压70 V
  • 封装类型DA
  • 系列TetraFET
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  • RMB448.83
Semelab NPN晶体管, LCC 2封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流800mA, 最大集电极-发射电压50 V
  • 晶体管类型NPN
  • 最大直流集电极电流800mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 封装类型LCC 2
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 双极型晶体管
  • RMB344.331
    Each (In a Tray of 100)
Semelab NPN晶体管, LCC 2封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流800mA, 最大集电极-发射电压50 V
  • 晶体管类型NPN
  • 最大直流集电极电流800mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 封装类型LCC 2
  • 安装类型贴片
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  • RMB798.85
Semelab N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 10 A, DA, 螺钉安装, 4引脚, D1002UK
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流10 A
  • 最大漏源电压70 V
  • 系列TetraFET
  • 封装类型DA
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  • RMB588.40
Semelab PNP晶体管, LCC 2封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流-600 mA, 最大集电极-发射电压-60 V
  • 晶体管类型PNP
  • 最大直流集电极电流-600 mA
  • 最大集电极-发射极电压-60 V
  • 封装类型LCC 2
  • 安装类型贴片
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