IGBT
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筛选条件
| 描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS 库存编号
168-4763
制造商零件编号IXA70I1200NA
品牌IXYS
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RMB222.012
毎管：10 个
单位
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100 A | 1200 V | ±20V | - | 350 W | SOT-227B | - | 贴片 | N | 4 | - | 单 | 38.23 x 25.25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
804-7625
制造商零件编号IXA70I1200NA
品牌IXYS
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RMB355.82
个
单位
|
100 A | 1200 V | ±20V | - | 350 W | SOT-227B | - | 表面贴装 | N | 4 | - | 单 | 38.23 x 25.25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
920-1007
制造商零件编号IXYH50N120C3D1
品牌IXYS
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RMB81.122
毎管：30 个
单位
|
90 A | 1200 V | ±20V | - | 625 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
808-0281
制造商零件编号IXYH50N120C3D1
品牌IXYS
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RMB92.96
个
单位
|
90 A | 1200 V | ±20V | - | 625 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
804-7600
制造商零件编号IXYN100N120C3
品牌IXYS
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RMB304.17
个
单位
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152 A | 1200 V | ±20V | - | 830 W | SOT-227B | - | 贴片 | N | 4 | 20 → 50kHz | 单 | 38.2 x 25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
168-4758
制造商零件编号IXYN100N120C3
品牌IXYS
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RMB283.792
毎管：10 个
单位
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152 A | 1200 V | ±20V | - | 830 W | SOT-227B | - | 贴片 | N | 4 | 20 → 50kHz | 单 | 38.2 x 25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
168-4507
制造商零件编号IXGH32N170
品牌IXYS
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RMB131.054
毎管：30 个
单位
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75 A | 1700 V | ±20V | - | - | TO-247AD | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
920-1003
制造商零件编号IXYB82N120C3H1
品牌IXYS
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RMB170.907
毎管：25 个
单位
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164 A | 1200 V | ±20V | - | 1040 W | PLUS264 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 20.29 x 5.31 x 26.59mm |
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RS 库存编号
194-899
制造商零件编号IXGH32N170
品牌IXYS
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RMB144.88
个
单位
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75 A | 1700 V | ±20V | - | - | TO-247AD | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
808-0237
制造商零件编号IXYB82N120C3H1
品牌IXYS
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RMB188.49
个
单位
|
164 A | 1200 V | ±20V | - | 1040 W | PLUS264 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 20.29 x 5.31 x 26.59mm |
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RS 库存编号
168-4761
制造商零件编号IXDN55N120D1
品牌IXYS
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RMB226.062
毎管：10 个
单位
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100 A | 1200 V | ±20V | - | 450 W | SOT-227B | - | 表面贴装 | N | 4 | 1MHz | 单 | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
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RS 库存编号
804-7616
制造商零件编号IXDN55N120D1
品牌IXYS
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RMB250.14
个
单位
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100 A | 1200 V | ±20V | - | 450 W | SOT-227B | - | 表面贴装 | N | 4 | 1MHz | 单 | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
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RS 库存编号
808-0293
制造商零件编号IXYK100N120C3
品牌IXYS
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RMB171.48
个
单位
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188 A | 1200 V | ±20V | - | 1150 W | TO-264 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 20.29 x 5.31 x 26.59mm |
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RS 库存编号
808-0284
制造商零件编号IXYH40N120C3D1
品牌IXYS
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RMB92.79
个
单位
|
64 A | 1200 V | ±20V | - | 480 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
168-4781
制造商零件编号IXYH40N120C3D1
品牌IXYS
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RMB79.536
毎管：30 个
单位
|
64 A | 1200 V | ±20V | - | 480 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
194-776
制造商零件编号IXGH16N170
品牌IXYS
|
RMB77.16
个
单位
|
32 A | 1700 V | ±20V | - | - | TO-247AD | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
168-4504
制造商零件编号IXGH16N170
品牌IXYS
|
RMB70.52
毎管：30 个
单位
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32 A | 1700 V | ±20V | - | - | TO-247AD | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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|
RS 库存编号
168-4782
制造商零件编号IXYK100N120C3
品牌IXYS
|
RMB146.65
毎管：25 个
单位
|
188 A | 1200 V | ±20V | - | 1150 W | TO-264 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 20.29 x 5.31 x 26.59mm |
|
RS 库存编号
168-4779
制造商零件编号IXYH30N120C3D1
品牌IXYS
|
RMB74.488
毎管：30 个
单位
|
66 A | 1200 V | ±20V | - | 416 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
|
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RS 库存编号
808-0271
制造商零件编号IXYH30N120C3D1
品牌IXYS
|
RMB91.52
个
单位
|
66 A | 1200 V | ±20V | - | 416 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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IGBT
IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
- 优点：热稳定性好、安全工作区大。
- 缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
- 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
- 电动机
- 不间断电源
- 太阳能面板安装
- 电焊机
- 电源转换器与反相器
- 电感充电器
- 电磁炉
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