100A IGBT模块
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筛选条件
显示 1 - 8 个产品，共 8 个
| 描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
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RS 库存编号
207-4953
制造商零件编号CM100DY-24T #300G
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RMB996.561
个 (以毎盒：10)
单位
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100 | 1200 V | 20V | 2 | - | 模块 | 双 | PCB | N | - | - | 双路半桥接 | - |
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RS 库存编号
207-4954
制造商零件编号CM100DY-24T #300G
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RMB1,250.66
个
单位
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100 | 1200 V | 20V | 2 | - | 模块 | 双 | PCB | N | - | - | 双路半桥接 | - |
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RS 库存编号
207-4975
制造商零件编号PM100CG1B120#300G
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RMB2,434.908
个 (以毎盒：10)
单位
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100 | 1200 V | - | 6 | - | 模块 | 3 相桥接 | 面板 | N | - | - | 3 相 | - |
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RS 库存编号
207-4955
制造商零件编号CM100RX-24T #300G
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RMB1,525.491
个 (以毎盒：9)
单位
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100 | 1200 V | 20V | 6 | - | 模块 | 3 相桥接 | PCB | N | - | - | 3 相 | - |
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RS 库存编号
207-4957
制造商零件编号CM100TX-24T #300G
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RMB1,438.513
个 (以毎盒：9)
单位
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100 | 1200 V | 20V | 6 | - | 模块 | 3 相桥接 | PCB | N | - | - | 3 相 | - |
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RS 库存编号
207-4976
制造商零件编号PM100CG1B120#300G
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RMB2,434.97
个
单位
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100 | 1200 V | - | 6 | - | 模块 | 3 相桥接 | 面板 | N | - | - | 3 相 | - |
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RS 库存编号
207-4956
制造商零件编号CM100RX-24T #300G
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RMB1,979.87
个
单位
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100 | 1200 V | 20V | 6 | - | 模块 | 3 相桥接 | PCB | N | - | - | 3 相 | - |
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RS 库存编号
207-4958
制造商零件编号CM100TX-24T #300G
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RMB1,867.21
个
单位
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100 | 1200 V | 20V | 6 | - | 模块 | 3 相桥接 | PCB | N | - | - | 3 相 | - |
IGBT
IGBT模块
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成。IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动、UPS不间断电源等设备上。
