描述 | 价格 | 存储器大小 | 组织 | 数据总线宽度 | 最长随机存取时间 | 安装类型 | 封装类型 | 引脚数目 | 尺寸 | 长度 | 宽度 | 高度 | 最大工作电源电压 | 最高工作温度 | 接口类型 | |
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RS 库存编号
436-8489
制造商零件编号M48T02-70PC1
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RMB135.04
个
单位
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16Kbit | 2K x 8 位 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PCDIP | 24 | 34.8 x 18.34 x 8.89mm | 34.8mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C | 并行 |
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RS 库存编号
686-8562
制造商零件编号M48Z12-70PC1
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RMB96.01
个
单位
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16Kbit | 2K x 8 位 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PCDIP | 24 | 34.8 x 18.34 x 8.89mm | 34.8mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C | 并行 |
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RS 库存编号
103-1455
制造商零件编号M48Z12-70PC1
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RMB88.891
毎管:14 个
单位
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16Kbit | 2K x 8 位 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PCDIP | 24 | 34.8 x 18.34 x 8.89mm | 34.8mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C | 并行 |
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RS 库存编号
172-2331
制造商零件编号GR3281-HT
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RMB906.343
个 (以毎盒:20)
单位
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256Kbit | 32K x 8 位 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PDIP | 28 | 37 x 18 x 7.3mm | 37mm | 18mm | 7.3mm | 5.5 V | +85 °C | 并行 |
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RS 库存编号
200-6583
制造商零件编号GR3281-HT
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RMB800.01
个
单位
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256Kbit | 32K x 8 位 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PDIP | 28 | 37 x 18 x 7.3mm | 37mm | 18mm | 7.3mm | 5.5 V | +85°C | 并行 |
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RS 库存编号
194-9071
制造商零件编号CY14B104LA-ZS25XI
品牌Infineon
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RMB279.284
Each (In a Tray of 135)
单位
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4Mbit | 512K x 8 位 | 8Bit | 45ns | 贴片 | TSOP | 44 | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | 18.51mm | 10.26mm | 1.04mm | 3.6 V | +85°C | 并行 |
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RS 库存编号
194-9072
制造商零件编号CY14B104LA-ZS25XI
品牌Infineon
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RMB276.94
个
单位
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4Mbit | 512K x 8 位 | 8Bit | 45ns | 贴片 | TSOP | 44 | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | 18.51mm | 10.26mm | 1.04mm | 3.6 V | +85°C | 并行 |
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RS 库存编号
172-2332
制造商零件编号GR3281-7
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RMB906.343
个 (以毎盒:20)
单位
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256Kbit | 32K x 8 位 | 8Bit | 70ns | 通孔 | - | 28 | 37 x 18 x 7.3mm | 37mm | 18mm | 7.3mm | 5.5 V | +70 °C | 并行 |
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RS 库存编号
172-2330
制造商零件编号GR881-HT
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RMB1,076.106
个 (以毎盒:20)
单位
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64Kbit | 8K x 8 位 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PDIP | 28 | 37 x 18 x 7.3mm | 37mm | 18mm | 7.3mm | 5.5 V | +85 °C | 并行 |
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RS 库存编号
714-7572
制造商零件编号M48Z18-100PC1
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RMB149.95
个
单位
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64Kbit | 8K x 8 位 | 8Bit | 100ns | 通孔 | PCDIP | 28 | 39.98 x 18.34 x 8.89mm | 39.88mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C | 并行 |
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RS 库存编号
194-9073
制造商零件编号CY14B104LA-ZS45XI
品牌Infineon
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RMB209.28
Each (In a Tray of 135)
单位
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4Mbit | 512K x 8 位 | 8Bit | 45ns | 贴片 | TSOP | 44 | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | 18.51mm | 10.26mm | 1.04mm | 3.6 V | +85°C | 并行 |
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RS 库存编号
132-772
制造商零件编号DS1230AB-70+
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RMB98.14
个
单位
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256Kbit | 32K x 8 位 | 8Bit | 70ns | 通孔 | EDIP | 28 | 39.12 x 18.8 x 9.4mm | 39.12mm | 18.8mm | 9.4mm | 5.25 V | +70 °C | 并行 |
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RS 库存编号
103-1581
制造商零件编号M48Z18-100PC1
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RMB150.417
毎管:12 个
单位
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64Kbit | 8K x 8 位 | 8Bit | 100ns | 通孔 | PCDIP | 28 | 39.98 x 18.34 x 8.89mm | 39.88mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C | 并行 |
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RS 库存编号
232-5964
制造商零件编号M3032316045NX0IBCY
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RMB795.61
个
单位
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32MB | 2M x 16 位 | 16Bit | 45ns | 贴片 | FBGA | 48 | 10 x 10 x 1.35mm | 10mm | 10mm | 1.35mm | 3.6 V | +85 °C | 并行 |
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RS 库存编号
189-9196
制造商零件编号DS1245Y-120+
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RMB279.57
个
单位
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1Mbit | 128K x 8 位 | 8Bit | 120ns | 通孔 | EDIP | 32 | 43.69 x 18.8 x 9.4mm | 43.69mm | 18.8mm | 9.4mm | 5.5 V | +70 °C | 并行 |
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RS 库存编号
194-9074
制造商零件编号CY14B104LA-ZS45XI
品牌Infineon
|
RMB208.83
个
单位
|
4Mbit | 512K x 8 位 | 8Bit | 45ns | 贴片 | TSOP | 44 | 18.51 x 10.26 x 1.04mm | 18.51mm | 10.26mm | 1.04mm | 3.6 V | +85°C | 并行 |
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RS 库存编号
232-5962
制造商零件编号M3032316045NX0IBCY
|
RMB733.806
Each (In a Tray of 168)
单位
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32MB | 2M x 16 | 16Bit | 45ns | 贴片 | FBGA | 48 | 10 x 10 x 1.35mm | 10mm | 10mm | 1.35mm | 3.6 V | +85 °C | 并行 |
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RS 库存编号
200-6612
制造商零件编号GR3281-7
|
RMB799.81
个
单位
|
256Kbit | 32K x 8 位 | 8Bit | 70ns | 通孔 | - | 28 | 37 x 18 x 7.3mm | 37mm | 18mm | 7.3mm | 5.5 V | +70 °C | 并行 |
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RS 库存编号
168-7902
制造商零件编号M48Z12-150PC1
|
RMB91.504
毎管:14 个
单位
|
16Kbit | 2K x 8 | 8Bit | 5ns | 通孔 | PCDIP | 24 | 34.8 x 18.34 x 8.89mm | 34.8mm | 18.34mm | 8.89mm | 5.5 V | +70 °C | 并行 |
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RS 库存编号
200-6577
制造商零件编号GR881-HT
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RMB949.25
个
单位
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64Kbit | 8K x 8 位 | 8Bit | 70ns | 通孔 | PDIP | 28 | 37 x 18 x 7.3mm | 37mm | 18mm | 7.3mm | 5.5 V | +85°C | 并行 |
NVRAM,即非易失性随机访问存储器(Non-Volatile Random Access Memory),是一种存储芯片,无需通电即可在电子电路中存储数据。这意味着即使电源关闭,NVRAM也能够存储数据。这与普通随机存取存储器(RAM)和动态随机存取存储器(DRAM)不同,两者都在断电时丢失内存。
NVRAM内存用于需要存储设置(例如日期和时间)的任何设备,但计算机制造商也可以使用它来存储有关计算机状态的详细信息。这允许在关闭和再次打开之间保留信息,从而缩短启动时间。NVRAM的其他典型应用包括:
也称为CMOS芯片(Complimentary Metal-oxide-semiconductor Chips,互补金属氧化物半导体芯片)。它们将NVRAM与实时时钟(RTC)结合在一起。时钟用于读取由NVRAM存储的日期和时间。RTC/NVRAM芯片旨在降低功耗。
代表电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-only Memory)。它是一种非易失性存储器,用于存储可以删除和重新编程的数据。
代表铁电RAM。它在结构上与DRAM相似,但主要区别在于它含有一层薄薄的钛酸锆(PZT)。PZT中的原子在电场中改变极性,产生二元开关。这允许FRAM保留其数据存储器,即使在电源关闭时,也能带来其他好处,例如极高的耐用性和超低功耗。
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