IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 配置 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 尺寸
RS 库存编号 253-9834
制造商零件编号FP50R12N2T7PBPSA1
品牌Infineon
RMB846.154
Each (In a Tray of 10)
单位
50 A 1200 V 20V - 20 mW - - - - - - - -
RS 库存编号 202-5678
制造商零件编号NXH25C120L2C2SG
品牌onsemi
RMB492.05
单位
25 A 650 V ±20.0V 6 - DIP26 3 相 通孔 N - - - -
RS 库存编号 218-4344
制造商零件编号FP10R12W1T7B11BOMA1
品牌Infineon
RMB257.235
Each (In a Tray of 24)
单位
10 A 1200 V 20V 7 20 毫瓦 EASY1B - - N - - - -
RS 库存编号 232-6718
制造商零件编号FP75R12N2T7BPSA1
品牌Infineon
RMB782.108
Each (In a Tray of 10)
单位
75 A 1200 V ±20V 7 20 mW 模块 3 相 底盘安装 N 31 - 3 相 -
RS 库存编号 273-2930
制造商零件编号FS50R12KT3BPSA1
品牌Infineon
RMB921.61
单位
- - - - - - - - - - - - -
RS 库存编号 218-4348
制造商零件编号FP15R12W1T4PBPSA1
品牌Infineon
RMB318.81
单位
15 A 1200 V 20V 7 20 毫瓦 EASY1B - - N - - - -
RS 库存编号 218-4395
制造商零件编号IHW30N135R5XKSA1
品牌Infineon
RMB22.093
毎管:30 个
单位
30 A 1350 v 20V 1 330 W TO-247 - - N 3 - - -
RS 库存编号 253-9823
制造商零件编号FP100R12N3T7BPSA1
品牌Infineon
RMB1,542.42
单位
100 A 1200 V 20V - 20 mW - - - - - - - -
RS 库存编号 248-6701
制造商零件编号SKM300GB12F4
品牌Semikron
RMB1,574.004
个 (以毎盒:12)
单位
300 A 1200 V ±15.0V 2 - - 半桥 - - - - - -
RS 库存编号 215-6640
制造商零件编号IHW40N120R5XKSA1
品牌Infineon
RMB22.158
毎管:30 个
单位
80 A 1200 V ±20 V, ±25 V - 394 W PG-TO247-3 - - - 3 - - -
RS 库存编号 273-7362
制造商零件编号F3L100R07W2E3B11BOMA1
品牌Infineon
RMB428.81
Each (In a Tray of 15)
单位
117 A 650 V +/-20V - 300W 模块 - 面板 - - - - -
RS 库存编号 212-2106
制造商零件编号STGW100H65FB2-4
RMB47.506
毎管:30 个
单位
145 A 650 V ±20V 1 441 W TO247 - 4 - - N 4 - -
RS 库存编号 253-3506
制造商零件编号BIDW30N60T
品牌Bourns
RMB17.987
毎管:600 个
单位
30 A 600 V ±20V 1 230 W TO-247 单二极管 - - - - - -
RS 库存编号 232-6716
制造商零件编号FP75R12N2T7B11BPSA1
品牌Infineon
RMB798.538
Each (In a Tray of 10)
单位
75 A 1200 V ±20V 7 20 mW 模块 3 相 底盘安装 N 31 - 3 相 -
RS 库存编号 248-6699
制造商零件编号SKM200GB12F4
品牌Semikron
RMB2,159.678
个 (以毎盒:12)
单位
200 A 1200 V ±15.0V 2 - - 半桥 - - - - - -
RS 库存编号 248-6697
制造商零件编号SKM150GB12F4G
品牌Semikron
RMB1,825.093
个 (以毎盒:12)
单位
150 A 1200 V ±15.0V 2 - - 半桥 - - - - - -
RS 库存编号 232-3040
制造商零件编号FF300R12ME7B11BPSA1
品牌Infineon
RMB1,191.492
Each (In a Tray of 10)
单位
300 A 1200 V 20V 2 20 mW AG-ECONOD 底盘安装 - - - 串行 -
RS 库存编号 260-1178
制造商零件编号F3L600R10W4S7FC22BPSA1
品牌Infineon
RMB1,852.31
单位
310 A 950 V ±20V - 20 mW EasyPACK 模块 - - - - - - -
RS 库存编号 273-7429
制造商零件编号IGP30N60H3XKSA1
品牌Infineon
RMB15.845
/个 (每包:2个)
单位
60 A 600 V +/-20V 1 187 W PG-TO220-3 - 通孔 - 3 - - -
RS 库存编号 248-6656
制造商零件编号AIKQ200N75CP2XKSA1
品牌Infineon
RMB106.571
毎管:240 个
单位
200 A 750 V 15V 3 1.07 kW TO247PLUS - - - - - - -

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。
  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

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