描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
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RS 库存编号
253-9834
制造商零件编号FP50R12N2T7PBPSA1
品牌Infineon
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RMB846.154
Each (In a Tray of 10)
单位
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50 A | 1200 V | 20V | - | 20 mW | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
202-5678
制造商零件编号NXH25C120L2C2SG
品牌onsemi
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RMB492.05
个
单位
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25 A | 650 V | ±20.0V | 6 | - | DIP26 | 3 相 | 通孔 | N | - | - | - | - |
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RS 库存编号
218-4344
制造商零件编号FP10R12W1T7B11BOMA1
品牌Infineon
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RMB257.235
Each (In a Tray of 24)
单位
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10 A | 1200 V | 20V | 7 | 20 毫瓦 | EASY1B | - | - | N | - | - | - | - |
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RS 库存编号
232-6718
制造商零件编号FP75R12N2T7BPSA1
品牌Infineon
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RMB782.108
Each (In a Tray of 10)
单位
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75 A | 1200 V | ±20V | 7 | 20 mW | 模块 | 3 相 | 底盘安装 | N | 31 | - | 3 相 | - |
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RS 库存编号
273-2930
制造商零件编号FS50R12KT3BPSA1
品牌Infineon
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RMB921.61
个
单位
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- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
218-4348
制造商零件编号FP15R12W1T4PBPSA1
品牌Infineon
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RMB318.81
个
单位
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15 A | 1200 V | 20V | 7 | 20 毫瓦 | EASY1B | - | - | N | - | - | - | - |
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RS 库存编号
218-4395
制造商零件编号IHW30N135R5XKSA1
品牌Infineon
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RMB22.093
毎管:30 个
单位
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30 A | 1350 v | 20V | 1 | 330 W | TO-247 | - | - | N | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
253-9823
制造商零件编号FP100R12N3T7BPSA1
品牌Infineon
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RMB1,542.42
个
单位
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100 A | 1200 V | 20V | - | 20 mW | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
248-6701
制造商零件编号SKM300GB12F4
品牌Semikron
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RMB1,574.004
个 (以毎盒:12)
单位
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300 A | 1200 V | ±15.0V | 2 | - | - | 半桥 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
215-6640
制造商零件编号IHW40N120R5XKSA1
品牌Infineon
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RMB22.158
毎管:30 个
单位
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80 A | 1200 V | ±20 V, ±25 V | - | 394 W | PG-TO247-3 | - | - | - | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
273-7362
制造商零件编号F3L100R07W2E3B11BOMA1
品牌Infineon
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RMB428.81
Each (In a Tray of 15)
单位
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117 A | 650 V | +/-20V | - | 300W | 模块 | - | 面板 | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
212-2106
制造商零件编号STGW100H65FB2-4
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RMB47.506
毎管:30 个
单位
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145 A | 650 V | ±20V | 1 | 441 W | TO247 - 4 | - | - | N | 4 | - | 单 | - |
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RS 库存编号
253-3506
制造商零件编号BIDW30N60T
品牌Bourns
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RMB17.987
毎管:600 个
单位
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30 A | 600 V | ±20V | 1 | 230 W | TO-247 | 单二极管 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
232-6716
制造商零件编号FP75R12N2T7B11BPSA1
品牌Infineon
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RMB798.538
Each (In a Tray of 10)
单位
|
75 A | 1200 V | ±20V | 7 | 20 mW | 模块 | 3 相 | 底盘安装 | N | 31 | - | 3 相 | - |
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RS 库存编号
248-6699
制造商零件编号SKM200GB12F4
品牌Semikron
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RMB2,159.678
个 (以毎盒:12)
单位
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200 A | 1200 V | ±15.0V | 2 | - | - | 半桥 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
248-6697
制造商零件编号SKM150GB12F4G
品牌Semikron
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RMB1,825.093
个 (以毎盒:12)
单位
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150 A | 1200 V | ±15.0V | 2 | - | - | 半桥 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
232-3040
制造商零件编号FF300R12ME7B11BPSA1
品牌Infineon
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RMB1,191.492
Each (In a Tray of 10)
单位
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300 A | 1200 V | 20V | 2 | 20 mW | AG-ECONOD | 双 | 底盘安装 | - | - | - | 串行 | - |
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RS 库存编号
260-1178
制造商零件编号F3L600R10W4S7FC22BPSA1
品牌Infineon
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RMB1,852.31
个
单位
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310 A | 950 V | ±20V | - | 20 mW | EasyPACK 模块 | - | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
273-7429
制造商零件编号IGP30N60H3XKSA1
品牌Infineon
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RMB15.845
/个 (每包:2个)
单位
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60 A | 600 V | +/-20V | 1 | 187 W | PG-TO220-3 | - | 通孔 | - | 3 | - | - | - |
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RS 库存编号
248-6656
制造商零件编号AIKQ200N75CP2XKSA1
品牌Infineon
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RMB106.571
毎管:240 个
单位
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200 A | 750 V | 15V | 3 | 1.07 kW | TO247PLUS | - | - | - | - | - | - | - |
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
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