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MOSFET

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显示 41 - 60 个产品，共 12072 个
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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, TDSON, 贴片安装, 8引脚
RS 库存编号 178-7485
制造商零件编号BSC028N06NSATMA1
品牌Infineon
RMB10.587
个 (在毎卷：5000)
单位
 N 100 A 60 V TDSON 4.2 mΩ OptiMOS 5 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - - 83 W 单
Wolfspeed N沟道增强型MOS管, Vds=1700 V, 5 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, C2M1000170D
RS 库存编号 904-7345
制造商零件编号C2M1000170D
品牌Wolfspeed
RMB76.76
个
单位
 N 5 A 1700 V TO-247 1.4 Ω - 通孔 3 -5 V、+20 V 增强 3.1V 2.4V 69 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=125 V, 20 A, M174, 贴片安装, 4引脚, SD2931-10W
RS 库存编号 178-1388
制造商零件编号SD2931-10W
品牌STMicroelectronics
RMB735.369
Each (In a Tray of 25)
单位
 N 20 A 125 V M174 - - 贴片 4 -20 V、+20 V 增强 - - 389 W 单
Wolfspeed N沟道增强型MOS管, Vds=1700 V, 5 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, C2M1000170D
RS 库存编号 145-6660
制造商零件编号C2M1000170D
品牌Wolfspeed
RMB71.012
毎管：30 个
单位
 N 5 A 1700 V TO-247 1.4 Ω - 通孔 3 -5 V、+20 V 增强 3.1V 2.4V 69 W 单
STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=125 V, 20 A, M174, 贴片安装, 4引脚, SD2931-10W
RS 库存编号 917-3356
制造商零件编号SD2931-10W
品牌STMicroelectronics
RMB522.48
个
单位
 N 20 A 125 V M174 - - 贴片 4 -20 V、+20 V 增强 - - 389 W 单
Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 1.9 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 146-1425
制造商零件编号SI2303CDS-T1-GE3
品牌Vishay
RMB1.719
个 (在毎卷：3000)
单位
 P 1.9 A 30 V SOT-23 190 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1V 1 W 单
Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 1.9 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 710-3241
制造商零件编号SI2303CDS-T1-GE3
品牌Vishay
RMB3.88
/个 (每包:20个)
单位
 P 1.9 A 30 V SOT-23 190 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 1V 1000 mW 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 20 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, NTD5867NLG
RS 库存编号 719-2901
制造商零件编号NTD5867NLT4G
品牌onsemi
RMB4.228
/个 (每包:5个)
单位
 N 20 A 60 V DPAK (TO-252) 50 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V - 36 W 单
Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 170 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 911-4842
制造商零件编号BSS84PH6327XTSA2
品牌Infineon
RMB0.357
个 (在毎卷：3000)
单位
 P 170 mA 60 V SOT-23 8 Ω SIPMOS 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2V 1V 360 mW 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 110 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFP064NPBF
RS 库存编号 541-0008
制造商零件编号IRFP064NPBF
品牌Infineon
RMB13.45
个
单位
 N 110 A 55 V TO-247AC 8 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 200 W 单
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 110 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFP064NPBF
RS 库存编号 919-4808
制造商零件编号IRFP064NPBF
品牌Infineon
RMB13.451
毎管：25 个
单位
 N 110 A 55 V TO-247AC 8 mΩ HEXFET 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 200 W 单
Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 170 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 653-2288
制造商零件编号BSS84PH6327XTSA2
品牌Infineon
RMB0.865
/个 (每包:10个)
单位
 P 170 mA 60 V SOT-23 8 Ω SIPMOS 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2V 1V 360 mW 单
Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 170 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
RS 库存编号 892-2217
制造商零件编号BSS84PH6327XTSA2
品牌Infineon
RMB0.624
/个 (每包:250个)
单位
 P 170 mA 60 V SOT-23 12 Ω SIPMOS 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2V 1V 360 mW 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 200 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, 2N7000
RS 库存编号 169-8553
制造商零件编号2N7000
品牌onsemi
RMB0.93
个 (在毎卷：10000)
单位
 N 200 mA 60 V TO-92 5 Ω - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 - 0.8V 400 mW 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 200 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, 2N7000
RS 库存编号 903-4074
制造商零件编号2N7000-D26Z
品牌onsemi
RMB1.137
/个 (每包:100个)
单位
 N 200 mA 60 V TO-92 9 Ω - 通孔 3 -40 V、+40 V 增强 - 0.8V 400 mW 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 200 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, 2N7000
RS 库存编号 739-0224
制造商零件编号2N7000TA
品牌onsemi
RMB1.773
/个 (每包:10个)
单位
 N 200 mA 60 V TO-92 5 Ω - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 0.3V 400 mW 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 170 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, BSS123LG
RS 库存编号 103-2944
制造商零件编号BSS123LT1G
品牌onsemi
RMB0.357
个 (在毎卷：3000)
单位
 N 170 mA 100 V SOT-23 6 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.8V - 225 mW 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 200 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, 2N7000
RS 库存编号 124-1310
制造商零件编号2N7000TA
品牌onsemi
RMB0.685
个 (在毎卷：2000)
单位
 N 200 mA 60 V TO-92 5 Ω - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 0.3V 400 mW 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 170 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, BSS123LT1G
RS 库存编号 545-0135
制造商零件编号BSS123LT1G
品牌onsemi
RMB1.585
/个 (每包:10个)
单位
 N 170 mA 100 V SOT-23 6 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.8V - 225 mW 单
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 200 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, 2N7000
RS 库存编号 671-4733
制造商零件编号2N7000
品牌onsemi
RMB2.688
/个 (每包:20个)
单位
 N 200 mA 60 V TO-92 5 Ω - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 - 0.8V 400 mW 单

MOSFET

MOSFET是什么？

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
  • NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
  • 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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