MOSFET
61
筛选条件
| 描述 | 价格 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
RS 库存编号
827-4892
制造商零件编号CSD18533Q5A
|
RMB10.072
/个 (每包:5个)
单位
|
N | 100 A | 60 V | VSONP | 8.5 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.3V | 1.5V | 3.2 瓦 | 单 |
|
RS 库存编号
827-4903
制造商零件编号CSD19506KCS
|
RMB30.16
个
单位
|
N | 273 A | 80 V | TO-220 | 2.8 mΩ | NexFET | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.2V | 2.1V | 375 W | 单 |
|
RS 库存编号
827-4883
制造商零件编号CSD18504Q5A
|
RMB7.084
/个 (每包:5个)
单位
|
N | 75 A | 40 V | VSONP | 9.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.4V | 1.5V | 3.1 W | 单 |
|
RS 库存编号
827-4919
制造商零件编号CSD19536KCS
|
RMB32.555
/个 (每包:2个)
单位
|
N | 259 A | 100 V | TO-220 | 3.2 mΩ | NexFET | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.2V | 2.1V | 375 W | 单 |
|
RS 库存编号
900-9857
制造商零件编号CSD19536KTTT
|
RMB43.03
个
单位
|
N | 272 A | 100 V | D2PAK (TO-263) | 2.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | - | 375 W | 单 |
|
RS 库存编号
900-9964
制造商零件编号CSD19534KCS
|
RMB9.936
/个 (每包:5个)
单位
|
N | 100 A | 100 V | TO-220 | 20 MΩ | NexFET | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | - | 118 W | 单 |
|
RS 库存编号
827-4870
制造商零件编号CSD18502Q5B
|
RMB16.364
/个 (每包:5个)
单位
|
N | 204 A | 40 V | VSON-CLIP | 3.3 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.2V | 1.5V | 3.2 瓦 | 单 |
|
RS 库存编号
827-4684
制造商零件编号CSD16321Q5
|
RMB10.352
/个 (每包:5个)
单位
|
N | 100 A | 25 V | VSON-CLIP | 3.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -8 V，+10 V | 增强 | 1.4V | 0.9V | 3.1 W | 单 |
|
RS 库存编号
827-4909
制造商零件编号CSD18563Q5A
|
RMB9.978
/个 (每包:5个)
单位
|
N | 100 A | 60 V | VSONP | 10.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.4V | 1.7V | 3.2 瓦 | 单 |
|
RS 库存编号
133-0156
制造商零件编号CSD25404Q3T
|
RMB8.512
/个 (每包:5个)
单位
|
P | 104 A | 20 V | VSON-CLIP | 150 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -12 V、+12 V | 增强 | 1.15V | 0.65V | 96 W | 单 |
|
RS 库存编号
133-0154
制造商零件编号CSD19502Q5BT
|
RMB18.78
/个 (每包:2个)
单位
|
N | 157 A | 80 V | VSON-CLIP | 4.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.3V | 2.2V | 195 W | 单 |
|
RS 库存编号
208-8479
制造商零件编号CSD17575Q3
|
RMB4.371
个 (在毎卷：2500)
单位
|
N | 3 A | 30 V | Vsonp | 2300000 Ω | NexFET | 贴片 | 8 | - | 增强 | 1.1V | - | - | - |
|
|
RS 库存编号
208-8480
制造商零件编号CSD17575Q3
|
RMB6.135
/个 (每包:10个)
单位
|
N | 3 A | 30 V | Vsonp | 2.3e+006 Ω | NexFET | 贴片 | 8 | - | 增强 | 1.1V | - | - | - |
|
RS 库存编号
252-8486
制造商零件编号CSD19532KTT
|
RMB12.215
个 (在毎卷：500)
单位
|
N | 200 A | 100 V | DDPAK/ TO-263 | - | - | 贴片 | - | - | - | - | - | - | - |
|
RS 库存编号
252-8477
制造商零件编号CSD17308Q3T
|
RMB5.65
/个 (每包:10个)
单位
|
N | 14 A | 30 V | VSON-CLIP | - | - | 贴片 | - | - | - | - | - | - | - |
|
RS 库存编号
823-9240
制造商零件编号CSD17381F4T
|
RMB4.461
/个 (每包:20个)
单位
|
N | 3.1 A | 30 V | PICOSTAR | 250 mΩ | FemtoFET | 贴片 | 3 | -12 V、+12 V | 增强 | 1.1V | 0.65V | 500 mW | 单 |
|
|
RS 库存编号
208-8481
制造商零件编号CSD18543Q3A
|
RMB3.25
个 (在毎卷：2500)
单位
|
N | 12 A | 60 V | Vsonp | 12 万 Ω | NexFET | 贴片 | 8 | - | 增强 | 1.5V | - | - | - |
|
RS 库存编号
823-9259
制造商零件编号CSD19531Q5AT
|
RMB14.50
/个 (每包:5个)
单位
|
N | 110 A | 100 V | VSONP | 7.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.3V | 2.2V | 125 W | 单 |
|
RS 库存编号
267-7440
制造商零件编号CSD18536KTTT
|
RMB32.046
个 (在毎卷：50)
单位
|
N | 200 A | 60 V | D²PAK | - | - | 贴片 | 3 | - | 增强 | - | - | - | - |
|
RS 库存编号
252-8480
制造商零件编号CSD17483F4T
|
RMB3.446
个 (在毎卷：250)
单位
|
N | 1.5 A | 30 V | PICOSTAR | - | - | 贴片 | - | - | - | - | - | - | - |
MOSFET
MOSFET是什么？
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
MOSFET的分类
- PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
- NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
- 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
- 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。
这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。
MOSFET的工作原理
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。
RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。
欢迎查看和订购RS的MOSFET及相关产品，订购现货24小时内发货，线上下单满额免运费。
